現在市面上好的太陽膜制造工藝多半兩種，一種是真空蒸發鍍膜工藝，一種是磁控濺射工藝。

太陽膜制造工藝分類：

1.真空蒸發鍍膜法太陽膜制造工藝就是在1.310-2~1.310-3Pa(10-4~10-5Torr)的真空中以電阻加熱鍍膜材料，使它在極短的時間內蒸發，蒸發了的鍍膜材料分子沉積在基材表冇上形成鍍膜層。真空鍍膜室是使鍍膜材料蒸發的蒸發源，還有支承基材的工作架或卷繞裝置都是真空蒸發鍍膜設備的主要部分。鍍膜室的真空度，鍍膜材料的蒸發熟練地，蒸發距離和蒸發源的間距，以及基材表面狀態和溫度都是影響鍍膜質量的因素。

2.磁控濺射法太陽膜制造工藝是指電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，最終沉積在基片上。

磁控濺射太陽膜制造工藝的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現大面積鍍膜。該技術可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。

磁控濺射設備一般根據所采用的電源的不同又可分為直流濺射和射頻濺射兩種。直流磁控濺射的特點是在陽極基片和陰極靶之間加一個直流電壓，陽離子在電場的作用下轟擊靶材，它的濺射速率一般都比較大。但是直流濺射一般只能用于金屬靶材，因為如果是絕緣體靶材，則由于陽粒子在靶表面積累，造成所謂的靶中毒，濺射率越來越低。

磁控濺射法與蒸發法太陽膜制造工藝相比，具有鍍膜層與基材層的結合力強，鍍膜層致密，均勻等優點。真空蒸發鍍膜法需要使金屬或金屬化合物蒸發氣化，而加熱溫度又不能太高，否則氣相蒸鍍金屬會燒壞被塑料基材，因此，真空蒸鍍法一般僅適用于鋁等熔點較低的金屬源，是目前應用較為廣泛的真空鍍膜工藝。相反，噴濺鍍膜法利用高壓電場激發產生等離子體鍍膜物質，適用于幾乎所有高熔點金屬，合金、非金屬及金屬化合物鍍膜源物質，如鉻，鉬，鎢，鈦，銀，金等。而且它是一種強制性的沉積過程，采用該法獲得的鍍膜層與基材附著力遠高于真空蒸發鍍法，鍍膜層具有致密，均勻等優點，加工成本也相對較高。

兩種太陽膜制造工藝，其光學性能也有差別。太陽膜的光學性能，主要是紫外線阻隔率，紅外線阻隔率和可見光透過率。不管是那種工藝，都可以用全波段太陽膜測試儀來測量其光學參數。